Année de production
2009
© Emmanuel PERRIN/CNRS Images
Référence
20090001_1222
Ingénieur de recherche présentant une couche de 200 nm de nitrure d'aluminium sur substrat silicium
Ingénieur de recherche présentant une couche de 200 nm de nitrure d'aluminium sur substrat silicium 4 pouces réalisée dans un réacteur d'épitaxie en phase vapeur d'organo-métalliques (réacteur EPVOM en arrière plan). Sur l'écran : courbe de réflectométrie permettant le contrôle en temps réel de la morphologie de surface des échantillons en phase de croissance.
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